产品分类
详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 16 A
Vds-漏源极击穿电压: 125 V
工作频率: 150 MHz
增益: 17 dB
输出功率: 150 W
最大工作温度: + 200 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 221-11-3
商标: MACOM
正向跨导 - 最小值: 4 mhos
高度: 6.58 mm
长度: 26.04 mm
通道数量: 1 Channel
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 40 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
宽度: 24.77 mm
单位重量: 41.165 g
技术: Si
Id-连续漏极电流: 16 A
Vds-漏源极击穿电压: 125 V
工作频率: 150 MHz
增益: 17 dB
输出功率: 150 W
最大工作温度: + 200 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 221-11-3
商标: MACOM
正向跨导 - 最小值: 4 mhos
高度: 6.58 mm
长度: 26.04 mm
通道数量: 1 Channel
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 40 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
宽度: 24.77 mm
单位重量: 41.165 g
