产品分类
详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: Si
工作频率: 6 GHz
增益: 14.8 dB
Vds-漏源极击穿电压: 28 V
输出功率: 5 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
商标: MACOM
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻: 1.6 Ohms
技术: Si
工作频率: 6 GHz
增益: 14.8 dB
Vds-漏源极击穿电压: 28 V
输出功率: 5 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
商标: MACOM
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻: 1.6 Ohms
