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武汉普赛斯仪表有限公司

大功率分立器件测试设备

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半导体分立器件特性参数测试是对待测器件(DUT)施加电压或电流,然后测试其对激励做出的响应;通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成,过程既复杂又耗时,还占用过多测试台的空间。实施特性参数分析的蕞佳工具之一是大功率分立器件测试设备,普赛斯半导体分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476


系统特点和优势:
 
单台Z大3500V输出;
 
单台Z大1000A输出,可并联后Z大6000A;
 
15us的超快电流上升沿;
 
同步测量;
 
国标全指标的自动化测试;

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系统指标

项目

参数

集电极-发射极

Z大电压.

3500V

Z大电流

6000A

精度

0.10%

大电压上升沿

典型值5ms

大电流上升沿

典型值15us

大电流脉宽

50us~500us

漏电流测试量程

1nA~100mA

栅极-发射极

Z大电压

300V

Z大电流

1A(直流)/10A(脉冲)

精度

0.05%

Z小电压分辨率

30uV

Z小电流分辨率

10pA

电容测试

典型精度

0.5%

频率范围

10Hz~1MHz

电容值范围

0.01pF~9.9999F

温控

范围

25℃~150℃

精度

±1℃





测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
 
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
 
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
 
输入电容、输出电容、反向传输电容     

续流二极管压降Vf
 
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等
 
普赛斯半导体分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,皮安电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。 

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选择普赛斯仪表的理由

武汉普赛斯是国内蕞早生产源表的厂家,产品系列丰富:产品覆盖不同的电压、电流范围,产已经过了市场的考验、市面有近500台源表在使用;

普赛斯仪表特色:高电流、高电压测试,3500V电压下可测量pA级漏电流,1000A脉冲电流源15us的超快上升沿。详询一八一四零六六三四七六;


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