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武汉普赛斯仪表有限公司

功率半导体测试高压电源

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功率半导体测试高压电源特点和优势:

十ms级的上升沿和下降沿;

单台最大3500V的输出;

0.1%测试精度;

同步电流或电压测量;

支持程控恒压测流,恒流测压,便于扫描测试;详询18140663476


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产品简介

高电压源测单元具有输出及测量电压高(3500V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在D一象限,输出及测量电压0~3500V,输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式。


应用领域:

用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

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更多有关功率半导体测试高压电源详情找普赛斯仪表专员为您解答,详询一八一四零六六三四七六;武汉普赛斯仪表有限公司,是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品,专注于第三代半导体测试,提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。未来,普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案,以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力,联合更多行业客户,共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展


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