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武汉普赛斯仪表有限公司

SiC功率半导体器件测试系统

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普赛斯SiC功率半导体器件测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、纳安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容  、反向传输电容等。

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法   灵活,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。详询18140663476

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测试系统组成

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件,以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机,内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件,可根据测试项目需要,设置不同的电压、电流等参数,以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出,并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外,测试主机可与探针台搭配使用,实现晶圆级芯片测试;也可与高低温箱、温控模块等搭配使用,满足高低温测试需求。

测试主机内部采用的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,测试精度为0.1%。其中,栅极-发射极,最大支持30V@10A脉冲电流输出与测试,可测试低至皮安级漏电流;集电极-发射极,最大支持6000A高速脉冲电流,典型上升时间为15μs,且具备电压高速同步采样功能;最高支持3500V电压输出,且自带漏电流测量功能。电容特性测试,包括输入电容,输出电容,以及反向传输电容测试,频率最高支持1MHz。


系统特点

高电压:支持高达3.5KV高电压测试(Z大扩展至10kV);

大电流:支持高达6KA大电流测试(多模块并联);

高精度:支持uΩ级导通电阻、纳安级漏电流测试;

丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;

配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;

数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;

模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;

可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;

可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;


系统参数

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测试项目

集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat

集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges

栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)

输入电容、输出电容、反向传输电容

续流二极管压降Vf

I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等



测试夹具

针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体,IGBT、SiC、MOS、GaN等产品,普赛斯提供

整套测试夹具解决方案,可用于T0单管,半桥模组等产品的测试。

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选择普赛斯仪表的理由

武汉普赛斯是国内最早生产源表的厂家,产品系列丰富:产品覆盖不同的电压、电流范围,产已经过了市场的考验、市面有近500台源表在使用;

普赛斯仪表特色:高电流、高电压测试,3500V电压下可测量皮安级漏电流,1000A脉冲电流源15us的超快上升沿。详询一八一四零六六三四七六;



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