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半导体器件参数测试仪iv+cv电性能分析仪优势：
IV、CV一键测；一体机，支持远程指令控制；支持三同轴接探针台
能够覆盖从材料、晶圆、器件到模块的测试
产品特点：
30μV-1200V；1pA-100A宽量程测试能力；
测量精度高，全量程下可达0.03%精度；
内置标准器件测试程序，直接调用测试简便；
自动实时参数提取，数据绘图、分析函数；
在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线；
提供灵活的夹具定制方案，兼容性强；
免费提供上位机软件及SCPI指令集；
典型应用：
纳米、柔性等材料特性分析；
二极管；
MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；
第三代半导体材料/器件；
有机OFET器件；
LED、OLED、光电器件；
半导体电阻式等传感器；
EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管；
电阻率系数和霍尔效应测量；
太阳能电池；
非易失性存储设备；
失效分析；
系统技术规格
半导体器件参数测试仪iv+cv电性能分析仪订货信息
硬件指标-IV测试
半导体材料以及器件的参数表征，往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试，都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU)，具有四象限，多量程，支持
四线测量等功能，可用于输出与检测高精度、微弱电信号，是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU,低压脉冲SMU,大电流SMU。用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配，实现测试测试效率与开支的平衡。
灵活可定制化的夹具方案
针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可
用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试;也可与探针台连接，实现晶圆级芯片
测试。
探针台连接示意图
